Емкостные методы исследования полупроводников
Берман Л.С.
В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в р—n-переходе и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник, так и радиационными дефектами. Емкостные методы, описанные в книге, основаны на единой теории и единой методике обработки результатов измерений. В начале каждой главы выводятся расчетные формулы, а затем приводятся примеры использования емкостных методов, взятые из различных областей полупроводниковой электроники.
หมวดหมู่:
ปี:
1972
สำนักพิมพ์:
Издательство «Наука»
ภาษา:
russian
จำนวนหน้า:
104
ไฟล์:
PDF, 3.54 MB
IPFS:
,
russian, 1972