ค้นหาหนังสือ
หนังสือ
บริจาค
ลงชื่อเข้าใช้
ลงชื่อเข้าใช้
เพื่อเข้าถึงฟีเจอร์เพิ่มเติม
คำแนะนำส่วนตัว
บอท Telegram
ประวัติการดาวน์โหลด
ส่งไปยังอีเมล หรือ Kindle
จัดการรายการในบุ๊กลิสต์
บันทึกในรายการโปรด
ส่วนตัว
คำร้องขอเพิ่มหนังสือ
น่าสนใจ
Z-Recommend
รายชื่อหนังสือ
ได้รับความนิยมมากที่สุด
หมวดหมู่
การมีส่วนร่วม
บริจาค
รายการที่อัพโหลด
Litera Library
บริจาคหนังสือกระดาษ
เพิ่มหนังสือกระดาษ
Search paper books
จุด LITERA Point ของฉัน
ค้นหาคีย์เวิร์ด
Main
ค้นหาคีย์เวิร์ด
search
1
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors: Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Springer India
Souvik Mahapatra (eds.)
stress
nbti
δvt
devices
gate
measured
hkmg
degradation
shown
mosfets
evolution
pbti
generation
recovery
δvit
dependence
traps
bti
insulator
measurements
δnit
mahapatra
tstr
eox
chap
electron
exponent
trapping
delay
dciv
shows
reliability
device
discussed
method
measurement
bias
msm
figure
obtained
physics
pdc
temperature
δvht
symposium
impact
parameters
proceedings
activation
fixed
ปี:
2016
ภาษา:
english
ไฟล์:
PDF, 20.69 MB
แท็กของคุณ:
0
/
0
english, 2016
1
ติดตาม
ลิงก์นี้
หรือค้นหาบอท "@BotFather" บน Telegram
2
ส่งคำสั่ง /newbot
3
ระบุชื่อสำหรับแชทบอทของคุณ
4
เลือกชื่อผู้ใช้สำหรับบอท
5
คัดลอกข้อความล่าสุดทั้งหมดจาก BotFather แล้ววางที่นี่
×
×